NAsPIII/V GmbH: Silicon-Photonics – revolutionäre optoelektronische Bauelemente

Nach dem „Moore’schen Gesetz“ wird sich die Dichte der Transistoren auf einem Chip alle zwei Jahre verdoppeln. Aller­dings stößt die Herstellung von immer kleineren Halb­­leiterbauelementen an phy­­si­­kalische Gren­­zen. Die NAsPIII/V GmbH – eine Aus­­grün­­dung aus dem Material­wissen­schaft­­lichen Ins­­ti­­tut der Philipps-Uni­ver­­­­sität Marburg – hat ein einzigartiges III/V-Halb­­­­leiter­­­mate­ri­al­­­system (GaNAsP) ent­­wickelt, das diese Heraus­for­de­­rung löst und Übertragungs­ge­schwin­­dig­keiten bis in den Terabyte-Bereich ermöglicht.

Bis heute wurden für die Forschung mehr als 18 Millionen Euro eingesetzt, finanziert insbesondere durch BMBF-Pro­gramme und durch Wagniskapital des Landes Hessen. Nach einer Entwicklungszeit von sieben Jahren laufen derzeit Verhand­lungen mit internationalen Industrie­part­­nern über den Technologietransfer von der Ent­wick­­lung zur Massen­pro­duk­tion.

Die Vorteile der durch die NAsPIII/V GmbH entwickelten optoelektronischen Bau­ele­­mente gegenüber heutigen Daten­über­­­tra­­gungslösungen sind evident. Handy, PC, industrielle Prozesssteuerung oder Automobilindustrie bezeichnen nur einige der Anwendungsbereiche. Sofern sich die neuen Bauelemente durchsetzen, würden künftige auf NAsP-Technologie basierende Produktumsätze möglicherweise im Milliardenbereich liegen.

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  1. Anschrift

    Am Knechtacker 19
    D-35041 Marburg
    Telefon +49 (0) 6421 282-5696
    Telefax +49 (0) 6421 282-8935
    Wolfgang.Stolz@NAsP.de
    Bernd.Scheld@NAsP.de
    www.nasp.de
  2. Gründungsjahr

    2004
  3. Geschäftstätigkeit

    Entwicklung von revolutionären Halbleitermaterialsystemen für Si-Photonics